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Q2 DRAM價格仍維持高點,NAND受3D TLC沖擊持續(xù)走跌

分類:半導體 發(fā)布:2018年05月05日 16:38 瀏覽:551次 Tag:

內存模組廠商創(chuàng)見第一季因 NAND Flash 跌價,獲利較去年同期年減 16.6%,較上季獲利衰退 19.6%。展望第二季,第二季 DRAM 合約價仍維持高點,但 NAND 仍供過于求,估計要待下半年,NAND Flash 降價壓力才會獲得抒緩。


在產品結構上,以第一季來看,工控產品占整體營收比重 46.9%、策略性產品占 21.8%、消費型 Flash 產品占17.8%,標準型 DRAM 產品則占 13.5%。


創(chuàng)見第一季毛利率達 22.2%,為近一年來的新低水準,主要因 NAND  Flash 價格走跌,產品價格也有壓力,造成毛利率向下;在業(yè)外部分,創(chuàng)見持有現(xiàn)金部位中,美元比重達七成,第一季因為臺幣升值,造成匯損沖擊。


展望第二季,目前看來第二季 DRAM 內存合約價格仍會維持高點,NAND 則會持續(xù)受到 3D TLC 產能開出,市場供給增加,第二季供過于求的狀況會持續(xù),價格也恐怕會持續(xù)走跌。至于業(yè)外,隨著匯率趨穩(wěn),第一季的匯損在第二季可望回沖。


展望下半年,創(chuàng)見預期,隨著手機容量的搭載 NAND Flash 比例可望提升,帶動需求,下半年 NAND Flash 的降價壓力可望抒緩,創(chuàng)見也會適時彈性調整價格因應。


另外,創(chuàng)見則持續(xù)加強利基的策略性產品,優(yōu)化產品線,包括蘋果升級方案、固態(tài)硬盤等等,而在工控領域,創(chuàng)見也推出 3D TLC NAND 閃存導入嵌入式解決方案,傳輸效能直逼 MLC 平面(2D)閃存,但價格卻更具競爭力。

 
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