2017年12月26日，致力于亞太地區(qū)市場的半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）和英飛凌（Infineon）產(chǎn)品的快速充電解決方案。

隨著快充電源的普及，享受了快充的便捷之后，用戶們開始逐漸擯棄普通速度充電的電源，無線充電大規(guī)模應(yīng)用的趨勢已經(jīng)十分明顯。大聯(lián)大品佳此次推出的NXP和Infineon快速充電方案包括：

1.     TEA1901SCP直接充電接口控制器/TEA1905x USB-PD/Quick Charge接口控制器---它是市場上率先將USB PD3.0和Quick Charge2.0、3.0組合在一起的產(chǎn)品之一。其可與TEA1936x和TEA199x配合使用，通過小型手機(jī)壁式充電器提供高能效，采用行業(yè)最新的接口協(xié)議，而無需使用復(fù)雜的技術(shù)。TEA1901SCP直接充電接口控制器結(jié)合了各種先進(jìn)的快速充電協(xié)議，為電池和系統(tǒng)提供廣泛的電壓和電流調(diào)節(jié)回路與保護(hù)。

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2.    Infineon BSZ086P03N3C MOSFET，這款I(lǐng)nfineon的OptiMOS? P通道電源MOSFET設(shè)計(jì)用于提供增強(qiáng)功能，以便達(dá)到質(zhì)量指標(biāo)。特征包括超低切換損耗、通態(tài)電阻、雪崩額定值以及達(dá)到汽車解決方案的AEC標(biāo)準(zhǔn)。應(yīng)用包括：直流-直流、電動機(jī)控制、汽車和eMobility。

3.    Infineon的IPAN65R650CE是650V，650mΩ，10.1A，N溝道功率MOSFET，它屬于Infineon的CoolMOS? CE高壓功率MOSFET的技術(shù)平臺，根據(jù)超結(jié)原理（SJ）設(shè)計(jì)，旨在滿足消費(fèi)者的需求。隨著產(chǎn)品系列的擴(kuò)大，英飛凌推出了500V、600V、650V、700V、800V和900V的高壓MOSFET。

方案特色

• ?   TEA1901x提供最好的安全性，歸功于廣泛設(shè)置了保護(hù)功能覆蓋多于10次失效情況下不需要額外的光電控制器；

• ?   快速電纜分離檢測，以避免電弧；

• ?   過溫保護(hù)（OTP）；

• ?   內(nèi)部充電器溫度的片上溫度傳感器；

• ?   多達(dá)2個(gè)NTC ADC測量電纜接頭溫度；

• ?   自適應(yīng)過電壓保護(hù)（AOVP）；

• ?   自適應(yīng)欠電壓保護(hù)（auvp）；

• ?   輸出短路保護(hù)（SCP）；

• ?   VCC到SW（門漏端口開關(guān)）短保護(hù)；

• ?   開放地保護(hù)；

• ?   打開VCC檢測。

圖示1-大聯(lián)大品佳推出的基于NXP和Infineon產(chǎn)品的快速充電解決方案系統(tǒng)方案圖

規(guī)格說明

• ?   支持SCP直接充電協(xié)議（HI模式，高壓可選）；

• ?   準(zhǔn)確的二次側(cè)電壓和電流的測量和報(bào)告；

• ?   集成客戶電纜e-marker檢測是否出現(xiàn)在USB連接器；

• ?   集成低成本的外部元件端口開關(guān)驅(qū)動器；

• ?   兩NTC ADC監(jiān)測連接器和適配器的溫度與OTP保護(hù)、檢測交流電源斷開；

• ?   寬VCC和VBUS操作范圍（3V至20V）和內(nèi)置的LDO；

• ?   主要功能用戶可通過D+D-引腳和存儲在MTP的記憶；

• ?   編程CV模式內(nèi)置反饋電路和+/-1%的精度；

• ?   編程CC模式與外部檢測電阻器和+/-100ma精度。

圖示2-大聯(lián)大品佳推出的基于NXP和Infineon產(chǎn)品的快速充電解決方案之規(guī)格說明