π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音優(yōu)點

東京—東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布推出一個新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生產(chǎn)即日啟動。

π-MOS IX系列采用經(jīng)優(yōu)化的芯片設計，與現(xiàn)有的π-MOS VII系列相比，其EMI噪聲峰值低5dB[1]，同時保持了相同水平的效率。該產(chǎn)品提供更大的設計自由度，因此有助于減小設計工作量。此外，π-MOS IX系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流，可輕松取代現(xiàn)有的MOSFET。

東芝電子元件及存儲裝置株式會社將推出更多600V器件以及500V和650V器件，以擴大其π-MOS IX系列的產(chǎn)品陣容。

應用場合

筆記本電腦AC適配器和游戲機充電器的中小型開關(guān)電源
照明電源

特點

兼具高效率和低噪音優(yōu)點
額定雪崩電流和額定直流電流相等

主要規(guī)格