2018年3月8日，北京訊——德州儀器（TI）(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡追蹤等速度關鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。

憑借業(yè)內(nèi)最佳的驅動速度以及1 ns的最小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側GaN驅動器可在工業(yè)LIDAR應用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地減少柵極環(huán)路寄生和損耗，進一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半橋驅動器，專為高達200 V的GaN場效應晶體管而設計。該器件的可調(diào)死區(qū)時間控制功能能夠將高速DC / DC轉換器、電機驅動器、D類音頻放大器及其它功率轉換應用效率提高多達5％。設計人員可利用超過300 V / ns的業(yè)內(nèi)最高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）實現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗噪聲能力。

LMG1020和LMG1210的主要特點和優(yōu)勢

• 高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使電源解決方案比采用硅驅動器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實現(xiàn)遠程LIDAR應用。

• 高效率：這兩款器件均可實現(xiàn)高效率設計。 LMG1210提供1 pF的低開關節(jié)點電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時間控制，可將效率提高多達5％。

• 功率密度：LMG1210中的死區(qū)時間控制集成功能可減少元件數(shù)量并提高效率，使設計人員能夠將電源尺寸降低多達80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業(yè)內(nèi)最小封裝和最高分辨率。

TI GaN產(chǎn)品的優(yōu)勢

LMG1020和LMG1210是業(yè)界最大的GaN電源產(chǎn)品組合中的最新成員，從200V驅動器到80V和600V功率級。憑借超過1,000萬小時的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產(chǎn)品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術帶來數(shù)十年的硅制造專業(yè)技術和高級器件開發(fā)人才。